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記者洪友芳/新竹報導〕日媒日前指出,台積電可望在熊本續投資興建1座晶圓廠,台積電發言體系也表示,不排除可能性,但目前沒有具體計畫;半導體供應鏈近日傳出,為了分散風險與貼近客戶,台積電可望計畫在熊本投資蓋第2座廠,將是較先進的7奈米製程,時程落在2024年底之後,高雄的7奈米廠恐擱置了。

台積電最早計畫在高雄投資兩座廠,原規劃建7奈米與28奈米兩座12吋廠,消息宣布,引起高雄人歡呼。但受到市場需求降溫,導致7奈米產能利用率下降,台積電於10月法說會指出將調整高雄廠7奈米建廠產能規劃,28奈米廠計畫不變。目前28奈米廠已開始動工興建。


台積電總裁魏哲家上月出席工研院院士授證典禮,受訪進一步指出,高雄廠7奈米將暫時延後,沒有取消或規劃變更製程。

不過,半導體供應鏈近期傳出,因日本政府積極邀請,為了分散風險與貼近客戶,台積電可望計畫於2024年之後在熊本投資蓋第2座廠,將是較先進的7奈米製程,高雄的7奈米廠恐將擱置了。台積電今則重申,法說會指出將調整7奈米建廠產能規劃,如何調整,目前還不確定。

台積電資深副總經理侯永清日前接受東京電視台受訪表示,台積電不排除在熊本興建中工廠之外,再興建新工廠。他表示,台積電希望了解熊本廠表現,再決定是否興建第2座工廠。台積電發言體系也指出,不排除在熊本建第2座廠可能性,但目前沒有具體計畫。

台積電正在熊本興建中的第1座晶圓廠,為日本索尼、電裝株式會社(DENSO)合資,政府有補助,預定2024年底前以28奈米、22奈米、16及12奈米製程生產,月產能5.5萬片,索尼、電裝也同時是大客戶。

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    台積電在熊本的投資額一兆日圓。台積電正評估興建的日本第2座工廠將落腳熊本縣菊陽町,位於熊本廠旁,這項設廠計畫預計2024年2月6日對外公布。

    不同意見

    https://www.wealth.com.tw/articles/9a92175f-1e59-42c6-a7d2-8b4f32481675
    https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4565571
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    2 人回報1 則回應3 年前
  • 轉~ (台灣已完蛋了,複製一小文章篇) 小陳是我大學電機系的同學,小陳當年是我們班前三名的資優生,當我們還在翹課在寢室連星海捉對廝殺時小陳默默的在一旁準備英文 TV,果然畢業退伍後小陳順利申請上MIT,幾年後小陳拿到半導體科學的博士後返台貢獻所學。 前些日子我跟小陳約出來敘舊,酒過三巡後恰巧電視新聞正在報導台積電股價創新高的新聞,小陳看了搖搖頭,不屑的說:這個政府只會搞大內宣,欺瞞人民! 我問小陳怎麼了? 小陳搖搖頭, 長嘆一口氣說道:台灣準備完蛋了,之前要不是川普搞陸美貿易戰,台灣的半導體業早崩潰了! 小陳接著說:我們學術界評估半導體製程的難度端看在一平方奈米的面積能放入幾個電晶體閘極,台積電的3奈米製程,意味在一平方奈米的面積能放進3個電晶體閘極。 我說這代表台積電技術能力很強吧!小陳搖搖頭,接著問我:你知道中芯國際嗎? 你知道中芯國際技術到什麼程度嗎? 我說我不清楚,小陳說道:中芯的技術已經到達28奈米,一平方奈米可以放28個電晶體閘極! 我驚嚇到: 原來大陸在半導體科技的進步幅度如此巨大! 小陳又說道: 中芯還不是最強的,武漢弘芯半導體已經能做到45奈米,而且即將進入90奈米! 我聽完小陳說的,內心非常不服氣, 馬上問小陳:你這個半導體專家,不然你說說看台灣接下來該怎麼辦? 小陳冷笑三聲,接著說: 台灣百年一遇的好機會都被你們高雄人毀了! 我覺得很詫異,小陳問:去年6/6你作了什麼? 我說: 那天不過就是去投了罷韓票而已。 小陳又長嘆一口氣:韓國瑜是個偉大無私又有遠見的政治家,全世界真的找不到第二個,韓國瑜很早前就知道台灣經濟的困境,所以他一上台立刻找到我們,希望我們能在高雄發展180奈米技術,由高雄來帶動台灣的經濟發展,可是當韓國瑜把發展規劃呈報上去,菜銀魂看到後嚇傻了,牠知道若讓韓國瑜在高雄發展出180奈米技術,讓高雄人民有錢,民進黨就不用混,所以命令輸針慘跟沉G賣政治迫害韓國瑜,韓國瑜知道後立刻決定出馬競選總統,結果就是被作掉跟市長被罷免。 聽完小陳的話我目瞪口呆,腦袋一片空白,原來我們去年罷韓,是罷掉台灣未來的前途! 小陳最後說韓國瑜被罷免後他對台灣已經完全絕望,現在武漢弘芯的蔣尚義副總裁用台幣2000萬的年薪邀請他去研究發展200奈米的技術,對比台灣,大陸在習近平主席的領導下國家富強人民年收入已經超越台灣,他決定去武漢弘芯發展。 聽完小陳的話我痛悔萬分,能再公投請韓國瑜回來當市長嗎?
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  • (shaking finger)(shrug)提醒台灣人,我們已經被美國帶進戰場,現在自救或許還來得及!   吳東昇 2022年12月9日 美國眾議院週四 (8日) 以 350 票贊成、80 票反對的票數通過「2023 財政年度國防授權法案」,除了額外增加8億美元對烏克蘭援助外,還計劃未來5年內提供台灣 100 億美元(700億人民幣)軍事援助。這個法案是參眾兩院共和黨和民主黨談判好幾個月的結果,總額高達 8580 億美元,比 2022 年的預算還多出8% (多出約635億美元),整個法案授權美國國務院在2023年至2027年財政年度,每年提供台灣最多20億美元無償軍援,計劃從美國武器庫存提供10億美元軍事裝備給台灣,以及要求美軍建立區域的軍火儲備庫,以因應可能的軍事急需。 說穿了就是在為兩岸製造戰爭做準備,這個陰謀我相信大家都懂!今年三月美國通過法案,提供烏克蘭136億美元的軍援。結果半年之內烏克蘭成廢墟、至少十萬烏克蘭軍人死亡!有烏克蘭的前車之鑑,美國昨天通過法案,提供台灣5年100億美元軍援,五年後的台灣會變成什麼? 烏克蘭之所以馬上給錢是因為俄烏已經開戰,但台灣卻是分五年? 而不是兩年、三年或是十年?為何是五年?關鍵就在於台積電!12/6台積電美國亞利桑那州完成美國新廠的移機典禮,包括美國總統拜登、台積電創辦人張忠謀、台積電董事長、美國商務部部長、州長與聯邦參議員等均親自出席,因為之前並沒有對外開放,結果因為這場典禮,讓人發現有許多讓人擔憂且不尋常的徵兆!更讓人產生一個很重要的結論:5年之後,自廢武功的台灣很可能就要完蛋了! 當美國完全掌握台積電高階製程技術之時,就是美國要毀滅台灣的時刻 ? 我很希望我今天的研判是錯誤的,但大家繼續看下去究竟有沒有道理? 大家都知道台積電在美國設晶圓21廠,是迫於政治壓力,並不是商業考量,如果到美國設廠有競爭力,為何25年前蓋了一個廠之後就沒下文 ? 所以如果對美國設廠對台積電有利早就去了,不用等到現在。兩年前台積電宣布到美國設廠時,外界就開始討論是否有產業外移、人才外流、技術外流的危機,但我們過去兩年來所聽到的都是 “暫時不需要擔心這些事” 的聲音。 但是當我看到台積電美國廠移機典禮時宣告,投資設廠金額從120億美元,加碼到兩階段建廠,共計400億美元,增加了2.3倍;以及製程規劃從2024年首批生產的5奈米,推進到4奈米,並且連3奈米都排進了時程,預計2026年投產,這些都是過去兩年半蔡政府、台積電刻意隱瞞台灣人的訊息。再加上12/8美國通過未來五年對台的軍事援助,我認為美國正在進行毀滅台灣的惡毒計畫! 不僅如此,第一座廠都還沒蓋好,就加碼2.3倍的金額,甚至第一個廠房都還沒蓋完,就已經在擴充了。2020年台積電決定赴美設廠時,美國亞利桑那州當地就在傳言,台積電圈的那一塊地,可以蓋到6個廠!現在回頭看當初這個傳言,可見一開始就是打算這樣幹!而過去這兩年蔡政府及台積電封鎖消息、欺騙台灣人,也是為了防止台灣內部的反彈。 除了技術無條件奉送美國之外,台積電簡直就是幫忙美國半導體龍頭__英特爾,訓練人才的集中營!目前台積電預計直送2000名台灣工程師前往美國廠,兩 期廠房預計額外創造1萬個高薪高科技工作機會,完工後將合計年產超過60 萬片晶圓。龐大的生產部隊,要在美國操作先進製程,因此必須訓練當地人才,但是最終是為誰訓練人才?撇開政治面,就商業角度而言,美國企業最大的受益者就是英特爾(Intel)。台積電美國新廠距離英特爾在亞利桑那州的廠房,大約一個小時的車程,英特爾的薪資又是台積電的一倍以上,台積電的員工不管是台灣去的還是當地訓練的,就算有綁約,也不可能綁一輩子,三、五年之後就可以跳槽,換言之,台積電美國廠根本就是在幫最大競爭對手英特爾訓練人才,這是在毀滅台積電全球晶圓代工龍頭的地位啊! 這件事跟美國分五年給台灣軍事援助有什麼關聯?因為五年之後,台積電最先進的製程技術可能已經完全轉移到美國,而台灣已經沒有利用價值、炸到稀巴爛都無所謂!或許有人會說,台灣也同時保有跟美國一樣的最先進技術、一樣是護國神山啊!錯了!正好相反,一旦美國掌握跟台灣一樣的高階技術,美國反而更會想要把台灣炸掉!以避免晶圓製造的高端技術被大陸掌握。   所以,當美國已經全面竊取台積電的晶圓製造技術,它還有必要砸百億美元保護台灣嗎?當然不是!那是要毀滅台灣的!我知道現實很殘酷,但整個邏輯就是如此簡單,台灣人必須務實面對,我們已經被美國帶進這場戰爭之中,只是大家都還沒發覺而已,而我只是把美國邪惡的計畫提早推理出來。 要如何破美國的陰險布局 ? 避免讓台灣變成廢墟 ? 台灣人在2024的選舉必須要求接手的政黨,禁止台積電繼續把先進製程技術輸入美國,如果台灣人不自救、新政府依舊配合美國掏空台灣,那就只有提早讓兩岸統一,台灣才有救!(Doh!)(librarian)(WHA!? Boy)
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  • 【台積電60%暴利財報背後:美國精算過的「晶片轉移工程」,正悄悄掏空整個台灣】 2025年7月17日,凌晨01:30,一份看似輝煌的財報在台北市信義路的總部大樓內送上董事會:第二季淨利暴衝60.7%、營收高達9338億元、毛利率58.6%、EPS達到歷史新高15.36元。但此時在另一端,亞利桑那州州政府的會議室裡,美國商務部代表早已拿到同一份資料,開始啟動下一階段晶片戰略的轉移與整併。 台積電不是在「擴張」,而是在「被轉移」。 台灣拚命代工,美國靜靜收網 這份財報背後,有一個最詭異的事實:九成以上的高毛利訂單,來自美國客戶。NVIDIA一口氣吃掉3nm產能、Apple全包4nm、Google與超微(AMD)也排隊搶單,甚至連特斯拉都在以AI伺服器名義爭取保留產線。 這看似證明台積電技術無人能敵,但真相是這些產能「簽的是美元價格,報的是台幣利潤」,營收帳面很美,真正價值早已轉移到美國科技股的市值上。NVIDIA今年市值已經暴衝突破4兆美元,但你知道它對台積電的實際付款佔比是多少嗎?不到2%。 台積電賺的是一條條產線、一位位工程師的命,而NVIDIA賺的是整個AI市場的話語權、訂價權、與未來5年全世界的資金流向。 亞利桑那廠,其實是美國的晶片特洛伊木馬 外界以為:亞利桑那是台積電「打入美國市場」的里程碑,實際上是美國政界與資本圈「合作做局」的成果。 從2022年開始,美國通過《CHIPS and Science Act》後,所有外資半導體公司要取得補貼,必須交出財報、良率、產線設計、內部採購清單。這是一條看似「產業補助」,實則「技術開鎖」的法案。 據爆料,亞利桑那第一廠 Phase 1,台積電不得不交出超過1200頁的技術製程SOP文件與300名台籍工程師輪調名單給美國國防部科技小組審查。你沒看錯連工程師名單都被納入軍事條件。 而第二廠 Phase 2 預計將引入2nm製程,原本是留給台灣南科園區的獨家技術,現在已確定會轉至美國本土實驗線,台灣內部資料還指出這會讓本島未來研發進度延後至少一年半。 這不是合作,這是「低成本吞併」。 財報超亮,但台灣人領不到未來 從外部來看,這次每股盈餘15.36元是天價,但你知道這背後是靠什麼硬撐的嗎? 1. 台幣升值被迫吸收成本:Q2期間新台幣對美元升值超過2%,直接壓縮匯兌收益超過150億新台幣。 2. 海外擴廠資本支出失控:原本亞利桑那一期預算150億美元,實際已超支到215億美元,且因為美方拖延補貼發放,台積電必須自行墊支,造成現金流緊縮。 3. 人力外調導致本島產能下修:台灣竹科與南科的資深工程師被大量抽調赴美,導致本島12吋廠三條產線在六月時停擺4天,損失訂單近23億新台幣,卻未列入財報備註。 這些「掏空式支出」,並沒有在媒體版面中提到,卻已經在影響台灣本地的產業平衡與年輕人就業選擇。 一場披著財報的權力轉移計畫 你以為這是晶圓代工的勝利?錯,這是一場轉移國家資源的過程。 台積電負責製造與技術 美國企業負責壓價與收割 台灣政府負責背書與沉默 而最終的結果是什麼? → 技術出走 → 人才外流 → 工廠成本轉嫁 → 利潤被美元換算後轉進海外股東帳戶 而台灣人,只能在財報裡看到那些「漂亮的數字」,卻再也看不到真正屬於自己的未來。
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  • 《台灣半導體產業強勢崛起的背後》 ​眾所周知,半導體是現代科學技術的巔峰,支撐起現代科技、國防、民生等方方面面,是一個國家科技、工業、國防實力的後盾和基石。從1987年台灣積體電路製造股份有限公司(也即耳熟能詳的台積電)創立至今,30年的時間里,台灣半導體產業從落後中國,到超越日本、歐盟、韓國,與美國並駕齊驅,短短30年,半導體產業在台灣生根並茁壯成長,最終領導全球科技產業發展,譜寫了一部台灣經濟轉型史。這一切僅僅是技術的轉移那麼簡單?為什麼與美國關係更密切的日本、韓國、歐盟反而被台灣甩開,是美國獨厚台灣,願將獨門技術只給台灣嗎?顯然,過去中國媒體將台灣的半導體產業簡單的歸結於技術引進,設備引進,只是一種宣傳的說辭,台灣的半導體產業為何會反超中國,原因究竟在哪裡?本文將從歷史和研發現狀進行介紹和分析。 一、從落後到領先: 1957年,北京電子管廠通過還原氧化鍺,拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年,中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管(即晶體管)。而此時的台灣在微電子技術和半導體技術領域是一片空白。 1959年,天津拉制出硅(Si)單晶。1962年,天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs),為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。同年,中國研究製成硅外延工藝,並開始研究採用照相製版,光刻工藝。這時候的台灣仍是一片空白。 1963年,河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。隔年,該單位又研制出硅外延平面型晶體管。 1965年12月,河北半導體研究所召開鑒定會,鑒定了第一批半導體管,並在中國首先鑒定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數字邏輯電路。1966年底,在工廠範圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產品。這些小規模雙極型數字集成電路主要以與非門為主,還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標誌著中國已經製成了自己的小規模集成電路。 1966年,Microchip在高雄設立高雄電子,從事晶圓封裝,台灣第一次接觸到半導體技術。此時,台灣在半導體技術領域已嚴重落後於中國。唯一的半導體工業還是外商掌握著經營權與主導權。 1968年,上海無線電十四廠首家製成PMOS(P型金屬-氧化物半導體)電路(MOSIC)。拉開了中國發展MOS電路的序幕,並在七十年代初,永川半導體研究所(現電子第24所)、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後,又研製成CMOS電路。 1970年代,IC價高利厚,需求巨大,引起了全中國建設IC生產企業的熱潮,共有四十多家集成電路工廠建成,四機部所屬廠有749廠(永紅器材廠)、871(天光集成電路廠)、878(東光電工廠)、4433廠(風光電工廠)和4435廠(韶光電工廠)等。各省市所建廠主要有:上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體(一)廠、航天部西安691廠等等。猶如今天中國新一輪半導體跟風潮。 1972年,中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研製成功。1973年,我國7個單位分別從國外引進單台設備,建成北京878廠,航天部陝西驪山771所和貴州都勻4433廠。 1967~1970年,德州儀器、飛利浦、捷康、三洋、摩托羅拉等在台灣建廠,引進半導體封裝技術,為台灣的半導體封裝產業發展奠定基礎。此時的台灣,仍舊沒有完整的半導體產業鏈,也缺乏相關技術與人才。 然而,轉折點很快就迎來了。 70年代初,台灣政府以半導體產業為產業轉型突破口,為發展集成電路投入一千萬美元啓動基金,並且在1974年兩個推動性的組織先後成立: - 9月,工研院成立「電子工業研究發展中心」(電子所) - 10月,海外華人在美國成立「電子技術顧問委員會」 1976年,工研院電子所與美國RCA公司達成了技術轉移協議,開啓了CMOS 領域的大門,台灣從RCA引進全套技術及生產管理流程;1977年,引進IMR的光罩技術;1978年,電子所建立了實驗工廠和示範工廠,而後首批由台灣本土製造的IC產品問世。但此時的台灣,已經落後中國10年以上,在產能上又嚴重不足,面對中國以國家意志攜技術、產能優勢發展半導體工業,台灣看似必敗無疑。 1976年11月,中國科學院計算所研製成功1000萬次大型電子計算機,所使用的電路為中國科學院109廠(現中科院微電子中心)研制的ECL型(發射極耦合邏輯)電路。��1982年,江蘇無錫的江南無線電器材廠(742廠)IC生產線建成驗收投產,這是一條從日本東芝公司全面引進彩色和黑白電視機集成電路生產線,不僅擁有部封裝,而且有3英吋全新工藝設備的芯片製造線,不但引進了設備和淨化廠房及動力設備等「硬件」,而且還引進了製造工藝技術「軟件」。這是中國第一次從國外引進集成電路技術。第一期742廠共投資2.7億元(6600萬美元),建設目標是月投10000片3英吋硅片的生產能力,年產2648萬塊IC成品,產品為雙極型消費類線性電路,包括電視機電路和音響電路。到1984年達產,產量達到3000萬塊,成為中國技術先進、規模最大,具有工業化大生產的專業化工廠。 而在台灣,1981年,聯華電子成立,民資佔30%、官方佔70%,成為政府研究機構將技術移轉到民間部門的首個案例,也是IC技術走向民間的第一步; 隨著中國引進日本技術打造的742廠投產,此時的台灣引進RCA公司的制程已經完全被中國超越,買來的技術優勢蕩然無存,比財力,台灣遠不及中國,如此下去台灣半導體工業永無出頭之日。1983年,工研院電子所實施超大型集成電路計劃,以合作方式推進DRAM與SRAM技術的研發,由於當時的台灣能力不足而最終功虧一簣。台灣半導體產業面臨著全盤覆滅的危險。痛定思痛,台灣由此下定決心,走自主研發之路。 1982年10月,中國國務院為了加強全國計算機和大規模集成電路的領導,成立了以萬里副總理為組長的「電子計算機和大規模集成電路領導小組」,制定了中國IC發展規劃,提出「六五」期間要對半導體工業進行技術改造。 1986年,電子部廈門集成電路發展戰略研討會,提出「七五」期間我國集成電路技術「531」發展戰略,即普及推廣5微米技術,開發3微米技術,進行1微米技術科技攻關。 有了國家意志的強力支持,中國各地開始了半導體產業挖人、招商引資和大興建設之路。由此帶動中國半導體技術迅速發展:1988年9月,上無十四廠在技術引進項目,建了新廠房的基礎上,成立了中外合資公司――上海貝嶺微電子製造有限公司。1988年,在上海元件五廠、上無七廠和上無十九廠聯合搞技術引進項目的基礎上,組建成中外合資公司――上海飛利浦半導體公司。 1987年,工研院電子所與飛利浦合作成立台積電,張忠謀創造性的提出了專業代工模式來運營此工廠,由此,台積電成為全世界第一家專業的晶圓代工廠,IC產業的一種新分工形態出現,這也標誌著台灣IC製造技術從此生根。Intel當時積極尋求部分制程的海外代工,這是台積電成功的一大契機。 隨著聯電、台積電的相繼成立,外資為主的下游封裝業,以及本地企業為主的上游設計、光罩業和中游製造業。從而大批海外IC人才紛紛回流創業,大批IC公司特別是設計類公司不斷興起,華邦、華隆微、德基半導體、旺宏、硅成、威盛、民生科技等不同細分領域的半導體企業也逐漸湧現了出來。在商業模式創新下,幾乎是一夜之間,台灣的半導體產業如雨後春筍般顯露出頭角,官方的工研院積極扶植起的台積電與聯電也羽翼漸豐,宛如今日的台灣生技醫藥產業。 與此同時,在中國,1989年2月,機電部在無錫召開「八五」集成電路發展戰略研討會,提出了「加快基地建設,形成規模生產,注重發展專用電路,加強科研和支持條件,振興集成電路產業」的發展戰略。��1989年8月8日,742廠和永川半導體研究所無錫分所合併成立了中國華晶電子集團公司。1991年,首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司。 但此時的中國半導體產業已經浮現隱憂。隨著規模日益擴張,生產嚴重過剩,政策扶植下的產業發展空有匹夫之勇,一腔熱情搞建設,卻從未有理性的反思與合理的規劃。隨著一條條產能的開出,中國的國家意志不僅沒有讓中國的半導體工業走向強大,反而一步步住進重症監護室中依賴於補貼輸血才能勉強應付龐大的生產線運轉,過量的產能讓各地頭痛不已。反觀台灣,半導體產業雖發展緩慢,但步步為營,沒有躁進也沒有狂熱,看清自己的位置,從商業模式創新開始,拿到了半導體產業的入場券和第一桶金。此刻,兩岸間半導體產業的未來走向已有定數,中國半導體逐步開始沒落,並從此開始一蹶不振的20年。 二、超越歐洲、日本:(圖一)1990半導體全球十強 1990年代半導體是兩個半國家的工業(兩個是指日本、美國,半個是指歐洲)。從上圖也能明顯看出,1990年全球半導體公司排名,前三甲皆是日本企業。歐洲則有一家飛利浦公司上榜。 圖二(2005半導體全球十強) 15年後的2005年,同樣的榜單,日本廠商頹態初現,歐洲廠商則勢力大增。此時的台灣依舊是默默無聞,耕耘著自己的技術與供應鏈。 在這15年里,台灣相繼成立三大科學園區,制定半導體技術自主研發規劃,逐步從飛利浦手中拿回台積電股權(過去台積電是飛利浦持股50%的真·外企),並打造台灣半導體供應鏈,構建產業聚落,以及完整的產-官-學-研利益共同體。這時的台灣,半導體設備仍嚴重依賴進口,上游矽晶圓也是外資控制,台灣僅僅是中游的製造上進入第一梯隊而已。 很快,台灣便相繼成立了國家實驗研究院,下轄多個與半導體技術相關的國家實驗室,同時軍方的中山科學研究院也加入了戰局,和台灣工業技術研究院一道扶植起台灣的半導體企業,現今全球最大的GaAs/GaN半導體代工廠商穩懋科技即是台灣中山科學研究院技術轉移的成果。隨後中央研究院也投入基礎科學領域的研究。由此,台灣半導體小企業成為了台積電、聯電、聯發科、日月光等大廠的供應鏈成員,而他們又聯合台灣官方的研究機構、民間大學、企業本身和國際合作夥伴一道組成集團軍,蛻變後的台灣半導體產業爆發式發展已經是指日可待。 由圖三可見,台灣當今已是全球最大的半導體製造基地,其晶圓產能高居全球第一,幾乎是中國的2倍。已發展為當之無愧的「硅島」。 圖四、2016年全球半導體20強榜單,在十年脫變成長後,台灣已有3家企業進入全球半導體產業20強,上榜企業數量與歐盟、日本持平,同列全球第二。 圖五、與此同時,台灣的半導體產值逐年攀升,2016年已達到780億美元,居世界第二位,僅次於世界霸主美國。 ​圖六、此時的台灣,在半導體各領域都已經站上全球第一梯隊,從產業鏈最上游的矽晶圓產能,台灣已是全球第二,儘管與日本廠商還有不小差距,但環球晶圓的發展勢頭很猛,公司未來持續並購同業擴大產能意願強烈。 圖七、在IC設計領域,全球前十大IC設計廠商,台灣佔據3席,分別是聯發科、聯詠科技、瑞昱半導體。這些IC設計領域的廠商依託台灣先進的半導體制程工藝技術,未來仍有很大發展餘地和空間。 圖八、​在晶圓​代工領域,前十大廠商,台灣佔據4席,分別是台積電、聯電、力晶、世界先進。全球半導體代工份額有7成以上被台灣廠商壟斷。 ​圖九、在晶圓​代工領域,前十大廠商,台灣佔據4席,分別是台積電、聯電、力晶、世界先進。全球半導體代工份額有7成以上被台灣廠商壟斷。 三、引領未來發展: 圖十、ISSCC是「IEEE International Solid-State Circuits Conference」的縮寫,是世界學術界和企業界公認的集成電路設計領域最高級別會議,被認為是集成電路設計領域的「世界奧林匹克大會」。2018年ISSCC大會上,台灣共有16篇論文入選,數量僅次於美國與韓國,居全球第三。(中國無一論文入選) 圖十一、早在2015年,​台灣國家實驗研究院即領先美國Intel、IBM技術聯盟和比利時IMEC,率先展示全球首個5nm菱形電晶體技術樣品。 圖十一、十二、 在半導體核心設備:光刻機、原子層沈積系統和刻蝕機領域,台灣皆有獨家技術,可以實現完整國產化,這些技術不僅意味著台灣具備整個設備研發、製造能力,還意味著可以自主對舊機台進行升級改造,避免反復購置新設備,還可以對採購國外的設備進行二次改良,在國際大廠的技術上更進一步,從而奠定制程上獨步全球的技術與良率。 垂直堆迭晶片(3D-IC)具備輕薄短小、低功耗與多功能的優勢,半導體產業已於2010年正式進入3D-IC世代。台灣國家實驗研究院儀科中心將累積40年研發大口徑光學系統的經驗與技術,運用於曝光機鏡頭模組的設計開發,在台北國際光電展中,特別展出全台第一套在地化、自主設計製造的步進式光刻機投影鏡頭之光學元件。該光刻機鏡頭是以等倍率透過逐步重複(步進式:step and repeat)的方式進行晶圓的曝光,除可應用於 3D-IC 製程中的曝光設備外,所建立的技術亦可開發各種需要曝光投影製程(例如 PCB、LED 和 LCD)的曝光設備,廣受廠商青睞。 目前台灣自主研發的3D-IC光刻機已獲得台積電、美光半導體、聯電採用。台積電已在10nm工藝的SRAM元件試產上驗證了台灣國產光刻機的優異性能,目前正在進行為期18個月的可靠性和良率測試。 IC晶片是由結晶矽(在其上製作電晶體等各種電子元件)及絕緣層所構成,目前半導體廠製作3D IC主要是以「矽穿孔3D-IC」技術,將兩塊分別製作完成的IC晶片疊放,並以垂直的導線連通上下兩層晶片,兩層IC之間的距離約為50微米。��台灣利用自主研發3D-IC光刻機技術發展的「積層型3D-IC」技術則可在第一片晶片的絕緣層上,直接製作第二層結晶矽薄膜以及其上的IC。突破了長久以來「積層型3D IC」的製作瓶頸。此技術可將結晶矽薄膜磨薄到僅0.015微米厚,因此兩層IC之間的距離僅0.3微米(絕緣層的厚度),是矽穿孔3D-IC技術50微米的1/150。 �積層型3D IC一向被稱為「三維積體電路的聖杯」,現在由台灣率先開發出來,研究團隊並已成功於單晶片上整合及堆疊邏輯線路、非揮發性記憶體及SRAM,相關成果撰寫成兩篇論文,發表於2013年底舉行的「國際電子元件會議」(International Electron Devices Meeting, IEDM),且被IEDM大會選為公開宣傳資料(publicity materials)。台灣研發的積層型3D-IC技術,已成為國際重要的技術指標。 ​圖十三、台灣研發的光刻機Window薄膜,紫外光區反射小於0.5%,優於荷蘭ASML採用的德國蔡司產品,已經被TSMC(台積電)試用。 圖十四、十五、目前台積電即將跨入10nm以下時代,市面上包括過去台灣研發的設備都不再適用。為了保持台灣半導體產業的領先優勢,台灣國家實驗研究院為台積電研發了新一代的原子沈積系統,該系統主要是用於下一代的10nm以下制程,並且直接由國家實驗研究院供貨給台積電,並不會賣給第三方公司。該技術堪稱是台積電的一大秘密武器。 ​圖十六、台灣半導體產業鏈除了大量國產設備廠商外(本文僅介紹三大核心設備和部分廠商),還有大量科研機構和廠商合作研發的各種獨家定制生產設備,例如台積電和工研院合作的納米微粒測量系統、微波退火系統,台灣聯電與工研院合作的晶圓瑕疵檢測系統,台灣穩懋與中山科學研究院合作的8英吋SiC晶圓MOVCD機台,台灣晶元光電​與國立中央大學合作的中大尺寸與高均勻度鍍膜MOCVD機台等其他競爭對手無法商業購買的設備。 此外,國際大廠也紛紛將生產、研發、設計中心設立在台灣。 ​目前,國際知名半導體設備大廠在台灣均有深入的佈局,最為積極的當屬ASML、應用材料、科林研發。其中光刻機的龍頭ASML更是已經把新的製造中心設在台灣,台灣亦是ASML第一次在荷蘭之外,設立研發、製造基地。據ASML台灣高層介紹,目前ASML所有的8英吋曝光設備及部分12英吋曝光設備的關鍵模組均由台灣製造中心量產,而且ASML還將量測設備等產品的全球製造中心也搬到了台灣。��圖十七、去年,ASML看好台灣本土半導體設備大廠漢民微測在量測設備上獨步全球的技術實力,斥資1000億收購漢民後,進一步擴大ASML產品線及在台研發、製造業務。目前,ASML總部也聘請大量台灣半導體人才,包括ASML全球副總裁游智瓊,全球卓越創新中心總監趙中榛等。 ​全球第二大半導體設備商科林研發執行長馬丁.安斯帝思(Martin Anstice)日前抵台接受台灣當地媒體的訪問時宣佈,將擴大在台零組件採購,同時將首度在台灣本土製造最先進的半導體製程設備,這也是科林研發首次將新設備拉到海外製造,並選定台灣為首個海外生產基地。 Martin Anstice基於商業機密,不便透露在台組裝相關細節及機型,但坦承會以最嚴苛的標準,並擴大向台灣合作夥伴採購零組件,並建立完善的半導體設備供應鏈。這也是科林研發繼去年在台成立半導體製程設備整建中心後,擴大在台佈局的一項重大決策。 半導體及顯示器設備大廠美商台灣應用材料公司,近日在南科園區舉行台南製造中心新廠興建工程的動土典禮,將投資30億元,因應客戶對液晶顯示(LCD)十代以上大型面板 (2940mm x 3370mm) 生產設備及有機發光二極體(OLED)設備的高度需求,預計2018年10月啓用。 目前台灣供應鏈已成為半導體設備大廠的關鍵合作夥伴。例如荷蘭ASML光刻機,其全球研發中心實際早已經設立在台灣,並且把全球製造中心也搬到了台灣。ASML光刻機可以說幾乎是100%的台灣血統。現在ASML的EUV光刻機鏡頭就是委託台灣團隊設計的。其光刻機關鍵模組代工也在台灣完成,由台灣帆宣科技公司負責。而ASML光刻機的光罩、EUV Pod也全部由台灣公司家登精密提供。ASML光刻機電源系統由台達電子獨家供應,真空腔體則由台灣千附實業公司獨家壟斷。此為ASML新一代的量測系統Yield Star也全數搬到台灣生產,其絕大部分零組件均是台灣帆宣科技負責,一部分零組件則有鴻海旗下的京鼎精密負責代工。 台積電的10納米和7納米量產時間可能會非常接近,台積電與聯電實際身後是有大量軍事研究機構和國家研究機構支持的,也不是單打獨鬥的,同理英特爾也是一樣的,如果5、7納米以下的競爭真的讓台積電獲得優勢,使英特爾真的在2020左右輸掉最大半導體獲利廠商的地位,那就是美國半導體科技輸掉了。 當前台積電已經在淨利潤和市值上雙殺英特爾,台灣在半導體領域崛起已是既定事實,如果按照中國部分媒體和「分析人士」空口無憑的說辭,台灣半導體技術完全是歐美施捨,那麼美國何以會容忍台灣半導體廠商一部部壓在自己頭上還笑臉以技術相送?不知道特朗普知不知道,原來自己的國家如此愛台灣,這哪兒是美國優先,按照中國媒體邏輯這分明是台灣優先嘛。 當前台積電已經在淨利潤和市值上雙殺英特爾,台灣在半導體領域崛起已是既定事實,如果按照中國部分媒體和「分析人士」空口無憑的說辭,台灣半導體技術完全是歐美施捨,那麼美國何以會容忍台灣半導體廠商一部部壓在自己頭上還笑臉以技術相送?不知道特朗普知不知道,原來自己的國家如此愛台灣,這哪兒是美國優先,按照中國媒體邏輯這分明是台灣優先嘛。本文以事實說話,歡迎轉發,請注明版權:鄭凱夫首發。特此聲明:如用於出版或產業分析、研究及其他商業目的需徵得本人許可。 2018.2.5鄭凱夫
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